ALD & CVD

Atomic Layer Depsition ALD System SPM580SS ¥7,000,000〜

小型1インチALD装置で成膜材料ガスを導入し成膜を行う装置です。

メタルオーガニック(MO)ガスを導入したMOCVDや飽和表面反応を利用した原子層成膜(Atomic Layer Deposition)の実験も可能です。

真空チャンバーでウェハを加熱、CVDガスを導入し表面反応を利用したCVD(ALCVD)を行う装置です。

特徴

  • 幅広い温度範囲でのCVDが可能です
  • ロードロック機構+手動搬送機構により手早く成膜できます
  • 排気系に特殊トラップ機構(オプション)を設けることで長期間安定した成膜が可能です
  • パーソナルコンピュータによる自動成膜が可能です (オプション)
仕様 改良のため予告なく仕様変更することがあります
チャンバー材質 アルミ合金SUS304/316
基板加熱 シースヒーターによる加熱(最高温度600℃)PID制御
基板サイズ 2"〜4"(仕様によりチャンバー外形が変わります)
原料供給

原料加熱による気化+マスフローコントローラーによる流量調整

排気系 TMP+ロータリーポンプ
基板搬送 手動搬送機構+上下機構(モーター駆動)
ガスライン加熱 最大16系統の増設が可能

MOガスの温度や流量は個別に制御されMOガス個別の特性に応じた制御が可能です

搬送されたサンプルの成膜制御はコンピュータから行います

OPTION

成膜中の温度や流量などのパラメータはコンピュータ内に蓄積され、過去の成膜状態との比較が容易です


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